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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

550

导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

110

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

140

最（zuì）大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

25

通道极（jí）性：

N沟道

封装/温度（dù）(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

550V,140mΩ,25A,N沟（gōu）道基（jī）于超级结技（jì）术（shù）的功率MOSFET


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