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漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

700

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

380

导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

430

最大漏极电流Id(on)(A)：

11

通（tōng）道极性：

N沟道

封装（zhuāng）/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

700V,430mΩ,11A,N沟道基（jī）于（yú）超（chāo）级结技（jì）术的功率（lǜ）MOSFET


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