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漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

65

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

70

最大漏（lòu）极电流（liú）Id(on)(A)：

47

通道极（jí）性：

N沟道（dào）

封装（zhuāng）/温（wēn）度(℃)：

TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

描述：

600V,70mΩ,47A,N沟（gōu）道基于超级结（jié）技术（shù）的功率MOSFET



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