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漏源电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

120

导（dǎo）通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

150

最大漏（lòu）极电流（liú）Id(on)(A)：

24

驱（qū）动电压（yā）(V)：

10

通（tōng）道极性（xìng）：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3/-55~125

描述：

600V,150mΩ,24A,N沟（gōu）道基于超级（jí）结技术（shù）的（de）功率MOSFET



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